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Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo N 700 V, 2 Ω Miglioramento, 5.7 A, 3 Pin, TO-251, Foro Passante-image

Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo N 700 V, 2 Ω Miglioramento, 5.7 A, 3 Pin, TO-251, Foro Passante

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET e diodo, canale Tipo N 700 V, 2 Ω Miglioramento, 5.7 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante, Massima corrente di scarico continua (Id): 5.7A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 700V, Serie: CoolMOS P7, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 2Ω, Tensione diretta (Vf): 0.9V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 16 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 17.6W, Minima temperatura operativa: -40°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 3.8nC, MPN: IPSA70R2K0P7SAKMA1

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