Infineon
Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo N 950 V, 2 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-251, Foro Passante IPU95R2K0P7AKMA1
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET e diodo, canale Tipo N 950 V, 2 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante IPU95R2K0P7AKMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 4A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 950V, Serie: CoolMOS P7, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 2Ω, Tensione diretta (Vf): 0.9V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 37W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 10nC
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