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Vishay Mosfet, Canale P, 115 MΩ, 3,9 A, Powerpak 1212-8, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale P, 115 mΩ, 3,9 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 3,2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 14,5 nC a 10 V, Larghezza: 3.05mm, MPN: SI7309DN-T1-E3

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