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Rohm Mosfet Singoli, Canale Tipo P -30 V, 8.5 MΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (Tl), Superficie RD3E07BBJHRBTL-image

Rohm Mosfet Singoli, Canale Tipo P -30 V, 8.5 MΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (Tl), Superficie RD3E07BBJHRBTL

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MarcaROHM
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ROHM MOSFET singoli, canale Tipo P -30 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie RD3E07BBJHRBTL, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): -30V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 8.5mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 5 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 77W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 52nC, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, Altezza: 2.3mm

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