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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 400 MΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 400 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Carica gate tipica @ Vgs: 43,6 nC a 10 V, Larghezza: 9.35mm, MPN: STB11NM80T4

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