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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 295 MΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 295 mΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 4.6mm, MPN: STB18NM80

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