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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 7 MΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 7 mΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Serie: STripFET II, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Carica gate tipica @ Vgs: 100 nC a 5 V, Larghezza: 9.35mm, MPN: STB80NF55L-06T4

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