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Vishay Mosfet, Canale Tipo N 30 V, 33 MΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, Soic, Superficie SI4178DY-T1-GE3-image

Vishay Mosfet, Canale Tipo N 30 V, 33 MΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, Soic, Superficie SI4178DY-T1-GE3

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MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale Tipo N 30 V, 33 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4178DY-T1-GE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 12A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 30V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 33mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 7.5nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 5W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): 0.85V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 25 V

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