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Vishay Mosfet, Canale Tipo N 25 V, 9 MΩ Miglioramento, 12.7 A, 8 Pin, Soic, Superficie SI4116DY-T1-GE3-image

Vishay Mosfet, Canale Tipo N 25 V, 9 MΩ Miglioramento, 12.7 A, 8 Pin, Soic, Superficie SI4116DY-T1-GE3

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MarcaVishay
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Descrizione
Vishay MOSFET, canale Tipo N 25 V, 9 mΩ Miglioramento, 12.7 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4116DY-T1-GE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 12.7A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 25V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 9mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.1V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 12 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 2.5W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 37nC

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