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Vishay Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 12 MΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, Soic, Superficie SI4090DY-T1-GE3-image

Vishay Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 12 MΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, Soic, Superficie SI4090DY-T1-GE3

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MarcaVishay
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Vishay MOSFET, canale Tipo N 100 V, 12 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4090DY-T1-GE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 20A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: ThunderFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 12mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.1V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 7.8W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 45.6nC

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