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Vishay Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 10 MΩ Miglioramento, 18.7 A, 8 Pin, SO-8, Superficie Si4090Bdy-T1-Ge3-image

Vishay Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 10 MΩ Miglioramento, 18.7 A, 8 Pin, SO-8, Superficie Si4090Bdy-T1-Ge3

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MarcaVishay
CondizioneNuovo
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Vishay MOSFET, canale Tipo N 100 V, 10 mΩ Miglioramento, 18.7 A, 8 Pin, SO-8, Superficie Si4090BDY-T1-GE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 18.7A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: TrenchFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 10mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 7.4W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 46.5nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C

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