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Infineon Mosfet, Canale N, 66 MΩ, 4,1 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 66 MΩ, 4,1 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 66 mΩ, 4,1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Serie: HEXFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Carica gate tipica @ Vgs: 3,5 nC a 4,5 V, MPN: IRLML6246TRPBF

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