ROHM
Rohm Mosfet, Canale Tipo N 650 V, 665 MΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie R6507KND3TL1
Specifiche
MarcaROHM
CondizioneNuovo
Descrizione
ROHM MOSFET, canale Tipo N 650 V, 665 mΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie R6507KND3TL1, Massima corrente di scarico continua (Id): 7A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 665mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 78W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 20nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C, Altezza: 10.4mm
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