ROHM
Rohm Mosfet, Canale Tipo N 650 V, 400 MΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie R6511END3TL1
Specifiche
MarcaROHM
CondizioneNuovo
Descrizione
ROHM MOSFET, canale Tipo N 650 V, 400 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie R6511END3TL1, Massima corrente di scarico continua (Id): 11A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 400mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 125W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 32nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C, Altezza: 10.4mm
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