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Infineon Transistor Mosfet, Canale N, 32 MΩ, 34 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale-image

Infineon Transistor Mosfet, Canale N, 32 MΩ, 34 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon Transistor MOSFET, canale N, 32 mΩ, 34 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Serie: OptiMOS™ 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 136 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 22 nC a 10 V, Larghezza: 9.45mm, MPN: IPB320N20N3 G

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